首页

低维硅基纳米材料的空位、拓扑缺陷与物性的数值模拟研究 09月15日

【摘要】石墨烯的成功制备开启了人们对二维六角晶格材料研究的热情,但是零带隙是它应用于下一代纳米电子学的最大障碍。实验和理论上通过各种物理和化学方法来调整其电子性质,如化学修饰,控制空位缺陷,剪切成具有特定边界的准一维纳米带等。另外,目前还出现了许多其它的二维六角晶格材料,如h-BN、MoS2以及硅烯和锗烯等单原子层蜂窝结构。这些类石墨烯结构材料同样引起了物理、化学、材料等学科研究领域的极大兴趣,并 […]