【摘要】相变存储器被认为是最有可能取代目前的SRAM、DRAM、FLASH等产品的下一代非易失性存储器之一[1]。该器件依赖于一种相变存储材料。相变存储技术已被广泛研究并商用。但是，目前在相变存储领域仍存在许多问题，例如由于非晶性稳定不好而不能应用于高温环境，由于晶化速度慢而限制了相变存储速度，由于易分相而影响循环性等[2,3]。而目前对相变存储微观机理研究的不完善阻碍了材料性能、器件性能的进一步 […]