【摘要】随着CMOS超大规模集成电路的发展，NBTI（negativebiastemperatureinstability）效应作为CMOS技术中最主要的可靠性问题之一，由于器件等比例缩小的持续进行、栅介质层厚度的不断减薄而变得更为严重，因而需要对NBTI失效模式的物理机制进行更加深入的研究，并建立和完善用以NBTI退化分析和预测的模型。论文基于构成NBTI退化的不同陷阱产生机制，对NBTI效应开 […]