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氧化锌和氧化钒薄膜基的电致阻变性能及机理研究 06月30日

【摘要】在一个三明治结构金属电极/绝缘层或半导体层/金属电极(MIM)中,电极两端外加电场,器件的电阻会发生可逆变化,包括非易失性的阻变(每个电阻状态在撤掉电压后能够保持)和易失性的阻变(低阻态在小电压下或撤掉电压后又回到高阻态,其电阻态无法保持),非易失性的阻变特性能够被用作非挥发性存储,即阻变式随机存储器(RRAM)。RRAM器件因其结构简单,非破坏性读取,读写速度快,高保持性,低功耗,有望成 […]

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氧化物中自旋极化材料与器件的研究 07月18日

【摘要】在信息大爆炸的当今,信息技术正以摩尔定律快速向前发展:集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔18个月便会增加一倍,而且性能提高一倍。然而随着器件尺寸的减小和集成化的提高,电子的量子效应使半导体器件越来越接近其物理极限。为了突破摩尔定律瓶颈,自旋电子学应运而起:同时调控电子的电荷和自旋两种属性,引入全新的信息存储和处理模式,使得自旋电子器件相对于传统半导体器件具有运算速度更快、器件尺寸更小、能耗 […]