【摘要】制备高质量的纳米材料,并通过掺杂调控其光电性能,是ZnO纳米材料实现广泛应用的前提条件。研究ZnO纳米材料的生长,并深入理解缺陷和杂质的行为,对于获得高质量的纳米ZnO晶体和优异的光电性能具有重要的指导意义。而In掺杂ZnO纳米材料的生长取向、表面形貌和缺陷有着重要的影响,所以本文主要以不同In掺杂含量的ZnO纳米线作为研究对象,通过对生长、光致发光特性及缺陷复合体进行研究,旨在为制备高质 […]