【摘要】本文主要建立了一个新的关于多晶硅薄膜晶体管的1/f噪声模型。不同于之前的噪声模型，该模型充分考虑了多晶硅晶粒间界的效应，认为多晶硅晶界耗尽区内的晶粒陷阱态随机捕获发射沟道反型载流子，导致载流子数目和载流子有效迁移率的涨落，引起沟道电流噪声。因为晶粒陷阱态分布在晶界耗尽区内的不同位置，载流子隧穿距离的变化则可以解释1/f噪声比较宽的电荷捕获时间常数分布。实验成功测得准分子激光退火和金属诱导结 […]