【摘要】从硫系相变材料被报道可用于半导体存储器之后，相变材料加速了相变存储技术的研究，并在上世纪80年代得到飞速发展。发展相变存储技术的关键在于研究性能较好的相变材料，而锗系化合物正是这样一类重要的相变材料。本文采用原位变温XRD检测技术，对锗系相变材料在相变过程中晶体结构的变化进行分析，即研究不同温度下材料出现的不同晶体结构，用Rietveld全谱拟合方法对晶体结构进行精修，结合密度泛函理论框架 […]