【摘要】一维纳米线由于其小尺寸和量子限域效应在未来纳米级电子器件中受到大家的青睐。在基于纳米线的电子器件中，锗是个非常好的半导体材料，因为它有着较小的带隙和较大的载流子迁移率。通过传统的方法也就是气-液-固(VLS)机理法合成的锗纳米线在本论文中得到了研究与证明，我们发现不同的实验条件和硅基片位置会导致不同的产物形貌。而通过真空溅射镀膜仪溅射的Au膜催化剂在改变其厚度的时候则会造成锗纳米线直径的大 […]