【摘要】氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ～Ⅳ族直接带隙宽禁带半导体材料,在室温下其带隙宽度为3.37eV,具有较高的激子束缚能(60meV),有很好的导热、导电及良好的紫外吸收性能,所以在光电子和微电子等应用领域内具有广阔的发展前景。通过Mg掺杂可以起到连续调制ZnO带隙的作用,从而获得更加广泛的应用。本文以掺镁氧化锌MgxZn1-xO纳米晶为研究对象,采用X-射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(Uv […]