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过渡金属共掺杂ZnO基稀磁半导体的制备与性能研究 06月20日

【摘要】稀磁半导体材料是利用3d族过渡金属离子,或4f族稀土金属离子取代Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅵ族或Ⅱ-Ⅴ族的化合物其中的一部分非磁性阳离子形成的。稀磁半导体材料开启了白旋电子学,具有优异的光学、电学、磁学和光催化等物理化学特性。稀磁半导体材料不仅具有电子的电荷特性还具有电子的自旋特性。稀磁半导体材料具有这些特殊的性质,从而使国内外的广大科研工作者对其产生了极大的研究兴趣。ZnO稀磁半导体纳米材料在功能材 […]