【摘要】二氧化钛(TiO)是一种非常重要的宽带隙半导体材料,具有优越的光电性能和物理特性,并在光催化、染料敏化太阳能电池、水分离、自清洁领域显示出巨大的应用前景。在这些应用中形貌的影响尤为重要,因此制备不同形貌的二氧化钛并研究其各方面性能成为目前的研究热点。本文采用水热法制备TiO2薄膜,通过控制反应时间来制备具有不同的表面形貌的TiO2薄膜。本文利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(X […]

【摘要】作为一种廉价且用途广泛的稀土氧化物,二氧化铈(CeO2)因其特有的光学性能、氧存储能力、高机械抛光强度和Ce3+与Ce4+之间的循环能力在荧光材料、机械抛光、燃料电池和光催化等方面具有广泛的应用前景。研究表明CeO2所表现出来的性质受形貌、晶格常数、颗粒大小和缺陷的影响。利用水热法制备CeO2纳米材料。使用X射线衍射(XRD,XD-3)分析产物的晶相；用透射电子显微镜(TEM,JEM-21 […]

【摘要】硒化铋和硒化锑是ⅤA-ⅥA族两种典型的直接带隙化合物半导体材料，其性能稳定、对环境无污染、具有良好的光电转换性能，在热电冷凝器件、光电子器件、光催化和光信息储存等领域都有广泛的应用前景而倍受人们关注。纳米半导体材料具有优异的光电、磁学和电学等性质，一直是人们关注的热点。探索适合的方法制备尺寸可控的Bi2Se3-Sb2Se3纳米复合材料可极大的拓宽这两种材料的应用空间，具有重大的研究意义。本 […]