基于圆平动控制的SiC陶瓷电化学研磨加工技术研究

基于圆平动控制的SiC陶瓷电化学研磨加工技术研究

作者:师大云端图书馆 时间:2019-05-25 分类:参考文献 喜欢:2658
师大云端图书馆

【摘要】碳化硅SiC(SiliconCarbide)陶瓷材料具有高耐磨性、耐腐蚀性、高脆性和低断裂韧性的特点,目前广泛应用于机械、电子、化工、航空航天等领域。随着空间天文学和激光工程学的发展,碳化硅陶瓷材料以其优异的性能,近年来已成为空间光学系统和高能量激光系统中反射镜的主要制造材料。然而,碳化硅陶瓷的硬度高、脆性大,使用传统的超精密加工方法,加工难度大,生产效率低,更难以达到光学材料高精度表面质量要求。因此碳化硅陶瓷材料的加工精度要求和制造周期、生产成本制约了其做为光学元件材料的广泛应用。数控研磨加工技术中运用电化学摩擦效应加工是一种对陶瓷等难加工材料实现表面光滑无损伤加工的新技术。碳化硅陶瓷数控研磨加工过程中,研磨系统使用金属基研具和不含游离磨料的研抛液,通过电极在金属研具和陶瓷工件之间施加可控电场,并控制金属研具和试件间的电压和摩擦力,利用摩擦微峰的化学溶解机理抛光工件表面。本文针对碳化硅这种典型难加工陶瓷材料的数控研磨加工技术进行了研究,设计开发了新型数控圆平动式研磨实验机伺服运动控制系统和数据采集处理程序。其中,控制系统采用PC+运动控制卡的开放式结构,利用VC++6.0开发了系统程序,利用C++Builder6.0开发了数据采集程序。在对圆平动研磨运动规律以及试件与研磨盘的磨损状态进行理论分析的基础上,进行了圆平动控制的碳化硅陶瓷平面电化学研磨对比实验,通过对研磨过程中的摩擦系数、正压力的参数的测量与分析,优选出最佳的碳化硅陶瓷电化学研磨加工的工艺参数。
【作者】单晓坤;
【导师】李国发;王彦鹏;
【作者基本信息】吉林大学,机械工程,2014,硕士
【关键词】SiC陶瓷;数控伺服系统;圆平动控制;电化学;

【参考文献】
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