【摘要】本课题是导电桥接存储器（CBRAM,Conducting-bridgerandomaccessmemory）的解析模型的研究，CBRAM是一种新型非挥发存储器，是可能成为下一代通用存储技术的新型技术之一，近些年已成为国际上相关研究的热点。本文介绍了CBRAM器件的基本概念及其具有竞争力的各项能指标，对CBRAM工作的物理机理进行了分析，基于CBRAM工作过程的物理机理建立了解析模型。在物理 […]

【摘要】为了探究Au互连线的形状参数对互连线寿命的影响,在环境温度为150℃、加载电流为500mA的试验条件下,使用恒温箱同时对多种不同形状的样品进行加速寿命试验。结果表明:在此试验条件下,不同形状参数的互连线的失效模式相同,且皆为电迁移导致互连线出现断路;互连线与电极连接处的圆弧半径越大,电迁移导致的失效现象出现的越晚,对应的薄膜互连线的寿命也越长。 【作者】黄飞；丁善婷；李婳婧； 【机构】湖北 […]

【摘要】半导体技术的飞速发展已经将集成电路技术带到了超深亚微米时代，这使得集成电路性能更好、集成度更高。集成电路从其诞生以来就朝着高性能和高可靠性两个方向不断发展。器件尺寸缩小、电路性能提升的同时，一些传统的可靠性失效机理，如栅氧经时击穿、热载流子注入、电迁移等对电路与器件的影响不但没有减轻，而且一些以前可以忽略的失效机理如，负偏压温度不稳定性，也变得越来越不能忽视了。因此，在一些可靠性要求较高的 […]