【摘要】随着技术的进步和需求的增加,高质量薄膜材料的制备技术有了很大的发展。其中,在宽禁带半导体材料中,AlGaN材料因为其高频率、大功率、耐高温、化学稳定性好及可以在强辐射环境中工作等特点的受到了人们越来越多的关注。然而,高质量的A1N薄膜制作非常困难,特别是缺乏合适的衬底材料以及由此引起的高缺陷密度。本文主要研究A1N薄膜制备中的氮化问题,通过优化氮化条件为生长高质量的AlGaN基LED材料奠 […]