【摘要】采用直流磁控溅射法制备Cu-Ga合金预制层,然后在固态硫的气氛中退火,成功的制备出了CuGaS2薄膜。溅射功率分别为15、30、45、60、80和100W的条件进行实验,最终在30W下制备的Cu-Ga合金薄膜原子比符合化学计量比。Cu-Ga合金薄膜在450、500、550和600℃的条件下分别进行硫化处理。薄膜的XRD物相、化学元素组成、表面形貌和光学特性依次进行表征。结果表明退火温度45 […]