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掺锗HfAlO_x薄膜的微结构与电荷存储特性 10月06日

【摘要】以互补型金属-氧化物-半导体场效应管结构为基础的悬浮式栅极非易失性存储器件在二十世纪中叶开始逐渐广泛应用于各类电子器件中。社会信息技术的快速发展对其器件小型化,电荷存储密度更高化的要求越来越高;然而伴随器件尺寸小型化出现的器件漏电流密度增大、存储时效急剧下降、功耗增大等困难制约了其进一步的高集成化。二十世纪九十年代中期,IBM研究人员用孤立单晶硅替代原来连续的Si栅极层作为电荷存储单元研发 […]